傳統硬碟技術發展趨緩已經是不爭的事實。Flash的應用，正好補足硬碟效能的Gap，因而市場也愈來愈能接受。未來在Flash技術發展以及價格日益平民之下，很有可能會衍生出低價Flash儲存方案來因應市場。
許多跡象顯示，Flash將成為企業儲存一項必要的支援項目。一份來自於IDC儲存研究總監Eric Burgener所發表的「Flash, Cloud and Software-Defined Storage: Trends Disrupting the Market」文章中也提到，虛擬化被廣泛地使用之後，勢必將對儲存設備產生新的要求，而Flash也將成為儲存系統中必要的支援項目，以便處理虛擬環境中更高的IOPS需求。
對於此一趨勢，不少儲存設備業者已積極布局。同樣針對快閃儲存市場，NetApp旗下企業級Flash技術與解決方案產品組合也相當完整，在混合式快閃儲存產品方面，有E系列與FAS混合快閃陣列來因應。而全快閃儲存產品，也提供EF系統與All Flash FAS系統的All Flash Arrays。
另外，由NetApp自行研發的全快閃儲存設備FlashRay，日前也已正式發表。雖然現階段僅出貨給特定客戶，但從專為全快閃儲存而特地開發新專屬作業系統Mars OS的作法來看，足以看出NetApp對快閃儲存市場的重視。
cMLC打入企業應用
目前FlashRay基本配置包括6U高度的控制器，以及2U快閃磁碟櫃24 Bay 2.5吋固態硬碟。每顆固態硬碟容量為480GB，記憶體為128GB。在看似平凡無奇的規格中，值得留意的細節則藏在固態硬碟裡，FlashRay所採用的固態硬碟為cMLC，亦即Consumer MLC。
FlashRay採用Consumer等級的MLC，從穩定度與耐用性的角度來看，其實是一項大膽的決策。一般而言，固態硬碟中典型的幾種NAND Flash Memory，包括SLC（Single-Level Cell，單層式儲存單元）、MLC（Multi Level Cell，多層式儲存單元）以及TLC（Triple-Level Cell，三層式儲存單元）。不同的儲存記憶單元，對於快閃記憶體的壽命長短差異極大，目前最耐用的NAND Flash Memory當屬SLC，讀寫次數上看到100,000次，但成本也最高昂。MLC則次之，約莫可以讀寫10,000次左右，至於TLC壽命最短，大約只能讀寫500…^1,000次。
 |
| ▲NetApp已正式發表FlashRay系統，並且為全快閃儲存設備設計全新專屬作業系統Mars OS。 |
而這其中，MLC又可分為eMLC以及cMLC。eMLC的e代表著enterprise，而cMLC的c則意指consumer。換句話說，在市場機制下，NAND Flash Memory也分為企業等級以及消費市場，一般而言，SLC與eMLC在儲存產品中較為常見。
NetApp系統技術暨專業服務事業部資深技術顧問陳勇維解釋，其實cMLC與eMLC的讀寫壽命並沒有太大差異，主要的差別在於超額配置（Over Provisioning）。為了避免快閃儲存顆粒的故障毀損，固態硬碟多半都會超額配置，以提高整體耐用性。一般而言，eMLC的超額配置佔比通常會比cMLC高。試想，假設eMLC超額配置達20%，而cMLC卻只有超額配置8%，自然eMLC的耐用性會超出cMLC許多。
「但也因此，cMLC的成本比起eMLC較為低廉。」他提到，傳統硬碟技術發展趨緩已經是不爭的事實。Flash的應用，正好補足硬碟效能的Gap，因而市場也愈來愈能接受。未來在Flash技術發展以及價格日益平民之下，很有可能會衍生出低價Flash儲存方案，甚至打亂原有混合式快閃儲存市場的佔比。「以往企業都是採用SLC或eMLC的固態硬碟，但是未來很有可能出現以cMLC或TLC組成的全快閃儲存設備。在這種情況下，快閃儲存系統的資料保護機制將成為最重要的關鍵，而這也是為什麼NetApp要重新打造專屬作業系統Mars OS的主要原因。」
軟體強化資料保護
目前Flash／?SSD依然存在幾項缺點有待克服。首先，成本依然還沒有降至可普及的階段，另外，讀寫次數也是一個問題，特別是單一區塊一直被重複讀寫時，即使其他區塊的讀寫壽命還沒到，也會因為這個區塊而造成毀損。
也因此，多數廠商都會特別針對這項問題，透過軟體技術加以克服，例如常聽見的平均抹寫儲存區塊技術（Wear Leveling）用意就是希望避免特定儲存區塊因存取過度而故障，因而透過軟體技術讓資料得以平均分散在NAND Flash的每個儲存區塊。
諸如此類的保護機制也常見於各家快閃儲存產品中，像NetApp All Flash FAS全快閃儲存就設計了WAFL（Write Anywhere File Layout）來避免單一區塊被不斷地覆寫。WAFL的作法是讓系統收到覆寫作業時，一律會將資料寫入新位置之中。即使是快照，也是如此。這麼做的好處是，可以提升效能同時把SSD block的利用率發揮到極致。由於並不是每改一筆I/O，馬上就調出這筆資料來加以修正，而是收集這些修正的資料，找到新的區塊寫入，然後再置換元資料（Metadata），因而提高了速度，並且延長儲存區塊壽命。
為了避免固態硬碟空間浪費，同時滿足效能要求，近期才正式發表的Mars OS作業系統，則提出長度可變式區塊編排（Variable Length Block Layout，VLBL）技術來因應。這項技術能提升資料存取效率，並且減少存取Flash I/O，增加系統的有效儲存容量。由於長度可變式區塊編排能依據RAID Group的配置以及Stripe的長度來決定每一次I/O的大小，而非設定固定的寫入容量或空間，因而也能避免區塊空間被浪費，從而提高效率。
Mars OS藍圖完整補強
有效的儲存策略必須視企業應用的需求而加以制定，針對混合式與全快閃儲存的運用，陳勇維也提出建言，「如果是共享的基礎架構，像是普遍常見的Exchange、OA應用程式，只需要部署混合式快閃儲存，就能有非常好的成效。但如果這個應用程式是企業未來的主力商品或是關鍵系統（交易系統、即時撮合或資料庫、ERP等等），對延遲的要求比較高、但空間容量需求沒那麼大時，全快閃儲存設備就很合適。」
現階段，Mars OS目前才推出第一版，第一代FlashRay設計上也只有單控制器，就產品的完整性而言稍有不足，但他強調，未來所有功能都會更為完善，而且趨近於Data ONTAP所包含的功能，包括壓縮、重複資料刪除、SnapMirror、Scale-out擴充、從一個控制器到兩個控制器，甚至是多個控制器等等，均會陸續強化。